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B
A
V19 / BA
V20 / BA
V21
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
BAV19/20/21, Rev.
C
BAV19 / 20 / 21
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
DO-35
Color Band Denotes Cathode
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage
BAV19
BAV20
BAV21
120
200
250
V
V
V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
BAV19
R
= 100
μA
120
V
BAV20
IR
= 100
μA
200
V
IR
= 100
μA
250
V
BAV21
I
VF
Forward Voltage I
F
= 100 mA
IF
= 200 mA
1.0
V
1.25
V
IR
Reverse Current
BAV19
BAV20
VR
= 150 V, T
A
= 150
°C
100
μA
VR
= 200 V
100
nA
VR
= 200 V, T
A
= 150
°C
100
μA
BAV21
VR
= 100 V
100
nA
VR
= 100 V, T
A
= 150
°C
100
μA
VR
= 150 V
100
nA
CT
Total Capacitance V
R
= 0, f
= 1.0 MHz 5.0 pF
trr
Reverse Recovery Time I
F
= I
R
= 30 mA, I
RR
= 3.0 mA,
50 ns
RL
= 100
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